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質(zhì)量流量控制器是一種流量控制裝置，用于測量質(zhì)量流量并自動控制設(shè)定的流量。 雖然有兩種測量流體的方法，質(zhì)量流量（重量）和體積流量（體積），但質(zhì)量流量控制器可以精確測量和控制質(zhì)量流量，而不受溫度和壓力波動的影響。 因此，它被廣泛用于半導體制造工藝、分析設(shè)備和其他需要高重現(xiàn)性和準確性的場合。
質(zhì)量流量通常使用熱傳感器和科里奧利傳感器來測量質(zhì)量流量。 熱傳感器使用溫度隨流體流動而變化的原理來測量質(zhì)量流量。 另一方面，科里奧利傳感器檢測由流體振蕩引起的科里奧利力，并相應(yīng)地測量質(zhì)量流量。 有必要根據(jù)流體（氣體/液體）和使用條件選擇方法。
典型熱質(zhì)量流量控制器的主要部件是流量傳感器、控制閥和旁路。 該操作將按照以下過程自動執(zhí)行。
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加熱質(zhì)量傳感器并測量流體運動（質(zhì)量流量）
橋式電路將質(zhì)量流轉(zhuǎn)換為電信號
放大由運算放大器轉(zhuǎn)換為電信號的質(zhì)量流量信號
AD/DA轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號
將設(shè)定的流速與算術(shù)電路中的電流流速進行比較
用于驅(qū)動閥門執(zhí)行器的PID控制
重復1~6（反饋控制）
熱式質(zhì)量流量控制器的流量傳感器原理如下：
不銹鋼毛細管纏繞著兩根電熱絲，在相同的溫度下加熱。 這些加熱絲位于流體流動的路徑上。
當氣體停止時，上游和下游的電熱絲將保持相同的溫度，不會失去平衡。
然而，當氣體流動時，上游電熱絲被剝奪了氣體的熱量，并且平衡隨著它向下游流動而改變。
為了檢測這種變化，使用安裝在毛細管中的橋式電路。 橋式電路是用于測量電信號并比較來自上游和下游電熱絲的信號的電路。
由于氣流引起的平衡變化通過電橋電路轉(zhuǎn)換為電信號。 該信號以質(zhì)量流量測量。
熱質(zhì)量流量控制器使用這種基于熱量的測量原理測量流量。 該測量的流量信息被反饋到后續(xù)控制電路，并通過閥門的控制進行控制動作以使流量更接近設(shè)定值。 根據(jù)流量傳感器的設(shè)計和技術(shù)，每家公司的質(zhì)量流量控制器可能具有不同的功能。
Lintec的質(zhì)量流量利用其的低溫傳感結(jié)構(gòu)，開發(fā)了第一個液體質(zhì)量流量控制器，包括氣體流量控制。
Lintec的質(zhì)量流量控制器采用低溫傳感結(jié)構(gòu)（環(huán)境溫度補償傳感器），可實現(xiàn)高精度和高速測量。 該傳感器的原理是一種的結(jié)構(gòu)，它將環(huán)境溫度反饋給流量傳感器，因此流量傳感器的溫度不會超過必要的上升。
對傳感器的熱損傷較?。ㄊ褂脡勖L）：低溫傳感結(jié)構(gòu)可降低流量傳感器的溫度。 這樣可以減少對傳感器的熱損壞并延長物理使用壽命。
流體熱分解風險低（可控制臭氧等）：由于測量溫度低于一般質(zhì)量流量控制器，因此非常適合臭氧等熱分解風險高的氣體的流量控制。 熱量對流體的影響可以最小化。
高速流量控制：與傳統(tǒng)的熱傳感器相比，低溫傳感結(jié)構(gòu)提供了壓倒性的響應(yīng)速度。 在需要快速流量控制時具有出色的性能。
這種低溫傳感結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了高精度、高速的流量測量和控制。
氣態(tài)氣體的質(zhì)量流量控制器有時縮寫為氣體質(zhì)量。 這是一種為精確控制氣體流體而開發(fā)的流體控制裝置，出現(xiàn)在液體質(zhì)量流量控制器之前。 根據(jù)波義耳-查爾斯定律，氣體在溫度和壓力的影響下會改變其體積，而氣體質(zhì)量流量控制器提供精確的流量測量，而不受溫度或壓力的影響，并且可以通過內(nèi)置控制閥通過設(shè)定的流量自動控制。 主要使用恒壓比熱的熱質(zhì)量流量控制器是主流。
液體質(zhì)量流量控制器，縮寫為液體質(zhì)量，是為精確的液體流量控制而開發(fā)的。 Lintec開發(fā)了第一個熱液質(zhì)量流量控制器，為半導體行業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新做出了貢獻。 除了熱型外，還有科里奧利型和差壓型等方法。
總結(jié)
氣體質(zhì)量流量控制器是一種專用的氣體流體控制裝置，可實現(xiàn)精確的流量控制，而不受溫度或壓力的影響。
液體質(zhì)量流量控制器，縮寫為液體質(zhì)量，可實現(xiàn)精確的液體流量控制。 林泰研發(fā)出第一臺熱液質(zhì)量流量控制器。
| 長處 | 型 | 通信標準 電源 | 溫度 響應(yīng)速度 精度 | 用法 關(guān)鍵字 |
|---|---|---|---|---|
 fast MFC | MC-7000 | 設(shè)備網(wǎng) 以太網(wǎng) DC24V 電源 | 5~50°C 0.2秒 ±1.0%標準/點 | 半導體薄膜沉積原子 層沉積 |
 EtherCAT MFC | MC-5000C | 以太網(wǎng)直流 24V電源 | 5~50°C 1秒 ±1.0%安全點 | 半導體薄膜沉積原子 層沉積 |
 DeviceNet MFC | MC-5000L | 設(shè)備網(wǎng) DC24V電源 | 5~50°C 1秒 ±1.0%安全點 | 半導體薄膜沉積原子 層沉積 |
 精密數(shù)字MFC | MC-3000L | RS-485 模擬0~5V±15V 電源 | 5~50°C 1秒 ±1.0%安全點 | 半導體 薄膜 沉積分析儀 |
 高溫MFC | MC-3000L-TC | RS-485 模擬0~5V±15V 電源 | 最高120°C 1秒 ±1.0%F.S. | 半導體 沉積 液化氣體 分析儀 |
 <img 解碼=“異步" 寬度=“ 低壓差 MFC | MC-3000S | RS-485 模擬0~5V±15V 電源 | 5~50°C 1秒 ±1.0%度 | 半導體 沉積 液化氣 固升華 |
 <img 解碼=“異步" 寬度=“ 可變 MFC | MC-700 | RS-485 模擬0~5V±15V 電源 | 15~35°C 1秒 ±1.0%度 | 半導體 薄膜 沉積分析儀 |
 低價MFC | MC-10 | RS-485（可選） 模擬0~5V±15V 電源 | 15~35°C 1秒 ±1.0%度 | 惰性氣體 分析儀 |
