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                  關(guān)于磁控濺射設(shè)備MSP-40T靶材分析

                2. 發(fā)布日期:2024-12-12      瀏覽次數(shù):673
                  • 關(guān)于磁控濺射設(shè)備MSP-40T靶材分析

                    本設(shè)備是一種多用途、操作簡(jiǎn)便的磁控濺射薄膜沉積設(shè)備。這是一種小型桌面型設(shè)備,占用空間小,能夠利用強(qiáng)磁場(chǎng)形成各種金屬的薄膜。
                    由于涂層是在低電壓下進(jìn)行的并且樣品是浮動(dòng)的,因此可以將對(duì)樣品的損壞保持在低限度。
                    通過(guò)觸摸屏操作配備配方功能。我們已經(jīng)通過(guò)序列控制實(shí)現(xiàn)了全自動(dòng)濺射成膜。

                    該產(chǎn)品附帶設(shè)備本身和隔膜泵。需要?dú)鍤夂屠鋮s水循環(huán)設(shè)備,因此請(qǐng)檢查公用設(shè)施。

                    我們還可以為您準(zhǔn)備冷卻水循環(huán)系統(tǒng)。
                    該設(shè)備需要安裝和操作說(shuō)明。

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                    關(guān)于 MSP-40T 基本實(shí)用程序

                    該設(shè)備需要?dú)鍤夂屠鋮s水循環(huán)系統(tǒng)來(lái)冷卻靶材。請(qǐng)?zhí)崆皺z查設(shè)施。

                    還要檢查這個(gè)
                    關(guān)于Ar氣制備關(guān)于氬氣的引入一些真空裝置要求或建議引入氬氣作為氣氛氣體。客戶(hù)為氣體引入設(shè)備準(zhǔn)備的物品...
                    還要檢查這個(gè)
                    關(guān)于水冷設(shè)備的準(zhǔn)備關(guān)于設(shè)備的水冷卻裝置 有些真空裝置設(shè)備需要冷卻水循環(huán)器,是一種選擇。該裝置的連接標(biāo)準(zhǔn)為φ6mm接頭。關(guān)于可選項(xiàng)目...

                    關(guān)于MSP-40T靶材

                    除了器件本身之外,還需要目標(biāo)金屬。請(qǐng)單獨(dú)訂購(gòu)。
                    該設(shè)備標(biāo)配一個(gè)厚度為 3mm 的目標(biāo)支架。
                    對(duì)于不同厚度的靶金屬,需要對(duì)應(yīng)每種類(lèi)型的靶支架。
                    使用貴金屬靶材時(shí),必須與削弱磁場(chǎng)力的鎳板結(jié)合安裝。
                    請(qǐng)務(wù)必了解使用現(xiàn)有目標(biāo)時(shí)的注意事項(xiàng)。

                    目標(biāo)金屬和目標(biāo)保持信息
                    [t=3mm]
                     Al、Cu、Mo、Ti、Ta、W、SUS 等

                    [t=2mm]
                     Cr、W、Co、Ge、Si、Zr 等

                    [t = 1mm]
                     Fe、Ni、C、W、Mo、Ti、Cr、Ta、Zn 等
                     ITO(背板 t=1mm + ITO t=2mm)
                     Pb (背板 t = 1mm + Pb t = 1mm)
                     Sn (背板 t = 1mm + Sn t = 1mm)
                     貴金屬靶 t = 0.5mm (Au、Pt、Au-Pd、Pt-Pd、Ag、Pd)
                     *對(duì)于貴金屬目標(biāo)需要一套磁場(chǎng)消除板。
                     *類(lèi)型和厚度僅為示例。

                    *MSP-40T僅適用于導(dǎo)電金屬材料。
                    *對(duì)于絕緣體和氧化物的濺射,請(qǐng)考慮使用射頻濺射設(shè)備。

                    MSP-40T 可選零件清單

                    如果您想提出請(qǐng)求,請(qǐng)聯(lián)系我們的銷(xiāo)售辦事處。

                    目標(biāo)支架 [t=2mm 時(shí)]

                    目標(biāo)支架 [t=1mm 時(shí)]

                    貴金屬靶材磁場(chǎng)消除板

                    金屬靶

                    *有關(guān)各種金屬靶材的信息,請(qǐng)聯(lián)系我們。

                    MSP-40T 設(shè)備規(guī)格


                    物品規(guī)格
                    電源AC100V(單相100V)3芯插頭帶15A地線(xiàn)
                    設(shè)備尺寸寬504mm,深486mm,高497mm
                    (設(shè)備重量37.7kg)
                    隔膜泵寬170mm,深287mm,高173mm
                    (重6.5kg)
                    真空排氣系統(tǒng)渦輪泵(TMP):67?/秒
                    (直接連接到設(shè)備內(nèi)置的腔室)
                    隔膜泵(DFP):20?/分鐘
                    (放置在設(shè)備外部,連接管,重量 6.5kg)
                    極限
                    真空測(cè)量
                    1x10-4Pa以下
                    全量程真空計(jì)
                    操作面板觸摸屏操作顯示
                    最多可注冊(cè)20個(gè)配方
                    腔室尺寸內(nèi)徑178mm,深度159mm不銹鋼腔體
                    樣品臺(tái)尺寸直徑50mm(陽(yáng)極電極分離浮動(dòng)法)
                    電極-樣品臺(tái)距離115mm、95mm、70mm
                    (含不同高度樣品臺(tái))
                    目標(biāo)金屬

                    ITO、Ti、W、Cr、Al、Ni、Fe、Ge、Zr、Mo、Cu、Ta、碳(使用磁場(chǎng)消除鎳板)
                    、Pt、Pt-Pd、Au、Au-Pd等貴金屬靶材, 鈀, 銀其他




                  聯(lián)系方式
                  • 電話(huà)

                  • 傳真

                  在線(xiàn)交流
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