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                  日本microphase石墨烯合成設(shè)備MPCVD-50

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                  更新日期:2025-05-02

                  簡要描述:

                  日本microphase石墨烯合成設(shè)備MPCVD-50
                  用于碳納米管的合成、碳成膜、納米陶瓷成膜、氮化、硫?qū)倩锍赡さ取?/p>

                  日本microphase石墨烯合成設(shè)備MPCVD-50
                  品牌其他品牌燃料電加熱鍋爐
                  結(jié)構(gòu)形式立式出口壓力高壓

                  日本microphase石墨烯合成設(shè)備MPCVD-50

                  用于碳納米管的合成、碳成膜、納米陶瓷成膜、氮化、硫?qū)倩锍赡さ取?/p>

                  目的 :用于合成碳納米管、在粉末樣品上沉積碳膜以及各種 CVD 膜沉積的通用管式爐型熱 CVD 設(shè)備。
                  通過增加氨氣、各種CVD反應(yīng)氣體、升華固體前驅(qū)體、液體前驅(qū)體的引入單元,
                  可應(yīng)用于氮化、硫?qū)倩铮ǘ蚧fMoS2等)層狀材料沉積等。
                  特征 :
                  •  配備液體燃料(乙醇)引入系統(tǒng),可用于無法安裝烴類氣體的場所。

                  •  3系統(tǒng)質(zhì)量流量氣體流量控制系統(tǒng),可以進(jìn)行精確的氣體控制。

                  •  真空排氣系統(tǒng)是標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備,可用作真空爐或氣氛爐。

                  •  緊湊而堅(jiān)固的外殼設(shè)計(jì),易于安裝在桌面實(shí)驗(yàn)室工作臺(tái)上。

                  •  高度可擴(kuò)展且易于處理任何類型的處理。

                  LIB電池用Si負(fù)極材料上的碳涂層

                   

                  二硫化鉬薄膜

                  長 CNT/Si 的 SEM 圖像

                  粉末狀 CNT 的 SEM 圖像

                  日本microphase石墨烯合成設(shè)備MPCVD-50

                  主要規(guī)格

                  基本配置管式爐正常使用溫度400-1000℃
                  爐內(nèi)尺寸60mmφ×L260mm
                  溫度控制1區(qū)可編程溫度控制器
                  外形尺寸W300mm x H200mm x D186mm
                  電容700W
                  芯管材料石英
                  尺寸OD50mm x ID46mm x L900mm
                  氣體控制質(zhì)量流量控制器
                  引入氣體類型

                  載氣:N2 或 Ar

                  還原氣體:H2

                  烴類氣體:C2H2 或 C2H4 或 CH4

                  真空計(jì)波登管真空計(jì)
                  排氣泵旋轉(zhuǎn)泵
                  外形尺寸W156mm x H200mm x D300mm
                  液體物料引入系統(tǒng)
                  催化劑前驅(qū)體引入機(jī)制
                  外形尺寸W1100mm×H1000mm×D500mm



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