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更新日期：2024-03-23
簡要描述：
thermocera納米CVD石墨烯/碳納米管合成器CVD法是一種穩(wěn)定的技術，已經建立了多種用途，它是未來大規(guī)模合成石墨烯和碳納米管的最現(xiàn)實的方法，因此我們在這臺機器中采用了CVD方法。 制造商Moorfield與英國國家研究所合作，多次驗證了這種薄膜沉積實驗裝置。
| 品牌 | 其他品牌 | 燃料 | 電加熱鍋爐 |
|---|---|---|---|
| 結構形式 | 立式 | 出口壓力 | 高壓 |
thermocera納米CVD石墨烯/碳納米管合成器
? 型號。 納米CVD-8G（用于石墨烯合成）
?型號。 納米CVD-8N（用于碳納米管）
每批僅需 1 分鐘，可輕松合成高質量石墨烯和碳納米管
CVD法是一種穩(wěn)定的技術，已經建立了多種用途，它是未來大規(guī)模合成石墨烯和碳納米管的最現(xiàn)實的方法，因此我們在這臺機器中采用了CVD方法。 制造商Moorfield與英國國家研究所合作，多次驗證了這種薄膜沉積實驗裝置。 在與研究機構的合作下，已經驗證了使用拉曼光譜，SEM，AFM等分析數(shù)據(jù)可以制備高質量的石墨烯和CNT樣品。
采用冷壁/高溫樣品加熱臺（熱板），反應快，重現(xiàn)性好。 設備小型化，加工時間縮短，可操作性強，可創(chuàng)建并存儲30種合成配方。 除了標準系統(tǒng)配置外，還可以根據(jù)要求定制設備配置。 nanoCVD系統(tǒng)是一種實驗裝置，盡管體積小，但具有為基礎研究和開發(fā)領域做出貢獻的無限潛力。
無需使用大型設備即可輕松進行石墨烯碳納米管 （SWNT） 沉積實驗
1批次只需30分鐘！
冷壁式高效高精度過程控制
快速升溫：室溫→1100°C約3分鐘
高性能機器，具有高精度的溫度流量控制和出色的可重復性
操作簡單！ 通過 5 英寸觸摸屏進行操作和配方管理
最多可創(chuàng)建和保存 30 個配方和 30 步合成程序。
標配專用軟件，數(shù)據(jù)記錄為輸出PC上的CSV文件
USB電纜連接，PC端的配方創(chuàng)建→上傳到設備
| 1. 反應室 | 不銹鋼SUS304泄漏檢查 |
|---|---|
| 2. 加熱階段 | 陶瓷 |
| 3. 兼容的樣本量 | 20 x 40毫米 |
| 4. 加熱加熱器 | 高純石墨加熱器MAX1050°C |
| 5. 溫度控制 | 包括K型熱電偶標準（安裝在加熱臺下方） |
| 1. 氣體控制 | 質量流量控制器 x 3 （Ar， H2， CH4） |
|---|---|
| 2. 壓力控制 | 20托爾· |
| 3. 真空抽真空 | 包括愛德華茲旋轉泵RV3（3?/小時） |
| 4. 操作面板 | 前置式 5 英寸觸摸屏 （歐姆龍） |
| 5. 風冷 | 通過冷卻風扇對外殼進行內部冷卻 |
| 6. 控制系統(tǒng) | PLC自動過程控制 |
| 1. 納米CVD軟件 | 包括標準（安裝石墨烯的標準程序） |
|---|---|
| 2. 界面 | USB 2.0 連接 |
| 3. 設置次數(shù) | 最多可以創(chuàng)建和保存 30 個配方和 30 個步驟 |
| 1. 工藝氣體 | 2 x 4/1 英寸世偉洛克卡套管連接，用于 Ar、H4、CH3 |
|---|---|
| 2. 載氣 | N2 或 AR φ6mm 推鎖管連接 x 1 |
| 1. 過熱 | 由安裝在加熱臺上的熱電偶控制 |
|---|---|
| 2. 外殼內部過熱 | 從內部溫度開關 |
| 3. 氣壓異常 | 從質量流量控制器 |
| 4. 真空減少 | 從真空傳感器 |
| 權力 | AC200V 單相 50/60Hz 13A |
|---|---|
| 1. 工藝氣體壓力 | 最大 30psi 200sccm |
| 2. 載氣壓力 | 60-80磅/平方英寸 |
| 1. 尺寸 | 405毫米（寬） x 415毫米（深） x 280毫米（高） |
|---|---|
| 2. 重量 | 約27公斤 |
